Модуль памяти Kingston KVR800D2N6/512

Модуль памяти Kingston KVR800D2N6/512

Главные особенности модуля памяти Kingston KVR800D2N6/512

DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 1×512 Мб, 1.8 В, CL 6

Технические свойства модуля памяти Kingston KVR800D2N6/512

Форм-фактор: DIMM 240-контактный
Объем: 1 модуль 512 Мб
Тип памяти: DDR2
Тактовая частота: 800 МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Пропускная способность: 6400 Мб/с
CAS Latency (CL): 6
Напряжение питания: 1.8 В
Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка

Похожее: Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий

Вы должны быть авторизованы, чтобы разместить комментарий.